关于单晶硅的论文

1.关于单晶硅制备的论文参考文献十个

[1] 苏旭, 常彦龙, 马传利, 王春明. 单晶硅表面贵金属晶粒层的制备[J]. 化学学报, 2008,(10) [2] 胡沙. 金川现有精炼流程改进的研宄[J]. 中国有色冶金, 1988,(07) [3] 魏永亨. 国外汽车排气净化催化剂的研究与开发[J]. 环境科学动态, 1988,(12) [4] 刘建国. 釉保护金法彩瓷[J]. 陶瓷研究与职业教育, 1990,(03) [5] 卢邦洪, 王松滨. 贵金属材料密度的精确测定[J]. 贵金属, 1997,(01) [6] 蒋鹤麟. 微电子工业中的贵金属浆料[J]. 贵金属, 1997,(04) [7] 崔薇. 俄罗斯规范贵金属开采业[J]. 世界采矿快报, 1997,(04) [8] 新技术与成果[J]. 中国金属通报, 2001,(07) [9] 张伟刚, 吴丰顺, 吴懿平, 安兵, 何劲强. 国外电子废弃物的回收利用技术[J]. 中国环保产业, 2006,(06) [10] 马弘, 侯凯湖. 贵金属回收中的离子交换树脂技术[J]. 中国资源综合利用, 2006,(09) [1] 金井升,舒碧芬,沈辉,李军勇,陈美园. 单晶硅太阳电池的温度和光强特性[J]. 材料研究与应用, 2008,(04) . [2] 杜家熙,苏建修,万秀颖,宁欣. 单晶硅片化学机械抛光材料去除特性[J]. 北京科技大学学报, 2009,(05) . [3] 杜忠明,刘祖明. 多晶硅与单晶硅的扩散比较[J]. 云南师范大学学报(自然科学版), 2007,(01) . [4] 高晓宇. 单晶硅微观力学性能研究[J]. 科技信息, 2008,(34) . [5] 吴明明,周兆忠,巫少龙. 单晶硅片的制造技术[J]. 制造技术与机床, 2005,(03) . [6] 黄国涛,沈致和. 单晶硅生产车间循环给水系统的设计[J]. 山西建筑, 2008,(15) . [7] 张献忠,姚松. 美国多晶硅-单晶硅-硅晶圆市场研究[J]. 精细与专用化学品, 2009,(02) . [8]空间太阳能电池用单晶硅片[J]. 中国集成电路, 2009,(05) . [9] 张玉红,陈占国,贾刚,时宝,任策,刘秀环,武文卿. 单晶硅材料电致双折射的研究[J]. 红外与毫米波学报, 2008,(03) . [10] 赵汝强,江得福,李军勇,梁宗存,沈辉. 采用正交实验优化单晶硅太阳电池表面织构化工艺[J]. 材料研究与应用, 2008,(04) .。

2.关于”硅及其化合物的应用“的研究论文

最先制得晶形硅的是最先制出纯铝的法国化学家亨利得维尔。

1854年,得维尔用强电池组电解石英砂和冰晶石的熔融物,在阴极上得到一种灰色性脆的粒状金属(硅铝合金)。当这种金属颗粒冷却后,析出了一种有金属光泽的片状晶体。

通过实验可知,这种片状晶体的化学性质与硅粉的性质完全相同,因而确信此片状晶体就是晶体硅。 硅是比锗更经得起当今器件工艺发展考验的半导体材料。

在1966年已经生产40000千克半导体级硅(单晶超纯硅,杂质含量小于1/109),从而制造出40亿个元件。到1966年,用于这方面的硅已超过锗的用量。

由硅晶体管和其他元件组成的集成电路,集成度越来越高,规模越来越大,而元件则愈做愈小。一个直径为75毫米的硅片,可集成几万至几十万甚至几百万个元件,形成了微电子学,从而出现了微型计算机、微处理机等。

在铝衬底上,生长—层10—25微米厚的多晶硅薄膜,就是一种便宜而轻巧的太阳能电池材料,适于在太空和地面上使用。 硅是同位素电池中换能器的主要材料。

换能器是将同位素热源发出的热能转变为电能的装置。硅-锗合金做的换能器,其工作温度可达1000oC,机械性能和抗氧化性能很好,高温下不易蒸发和中毒,无论在真空还是空气中都能工作。

航天飞机用的耐热而极轻的硅瓦,在航天飞机返回大气层时,它可保护机身不受超过1000oC高温的损伤。 天然橡胶和合成橡胶的使用温度,一般都在150oC以下,否则就会老化变质。

20世纪40年代发展起来的硅橡胶,是以硅一氧一硅为主链的半无机高分子弹性体,兼有无机材料和有机材料的某些特点,使用温度范围宽广。硅橡胶具有优异的耐臭氧、耐碱、生理惰性(对人机体没有不良影响,可做为某些脏器的修复材料,如人工关节)和电气性能。

某些特殊结构的硅橡胶,更具有优良的耐油、耐溶剂、耐辐射等特性,因此硅橡胶已广泛用于航空、宇宙航行技术、电气及电子工业部门。 用110—2甲基乙烯基硅橡胶做生胶原料,乙炔炭黑做填料可制成导电橡胶,是电子表中连接集成电路与液晶屏的理想导电材料。

硅酸在水中能形成凝胶,因此可制得一种吸附剂---硅胶。硅胶是一种极性吸附剂,对H20等极性物质都有较强的吸附能力,工业上常用做干燥剂和吸附剂。

硅酸钠的水溶液叫水玻璃,工业上称做泡花碱。木材及织物浸过水玻璃后,可以防腐,不易着火。

硅溶胶是以Si02为基本单位的水中分散体。在羊毛纺织过程中,它可做为轻纺上浆的胶剂,以减少羊毛纤维的断头率,在涂层中含有硅溶胶,可提高无机纤维材料的表面抗 热强度。

在搪瓷器皿制造业中,加进硅溶胶以后,可降低膨胀系数,以改进对四氟乙烯的粘合性,在玻璃及玻璃陶瓷中亦有同样效果。若在玻璃中掺入25—30%的硅溶胶,可制得优质的硅硼酸玻璃。

某些钠硼硅酸盐玻璃(含氧化钠、氧化硼和氧化硅)经过热处理,原子重新组合,就分为互不熔混的两部分。一部分主要含氧化硅,另一部分主要含氧化钠和氧化硼。

如果再用酸处理,那么二氧化硅将不受酸的影响而留下来,而氧化钠和氧化硼则溶于酸中,剩下众多的空洞一—微孔,于是就制成了用途广泛的微孔玻璃。 将微孔玻璃烘干,烧结,就得到高硅氧透明玻璃。

它耐高温,热稳定性好,透紫外线能力强,可在多方面代替石英玻璃,适宜做高温观察窗, 比如宇宙飞船上的观察窗。迫过它去观察物体,不会发生变形,因为它的光学均匀性也很好。

如果在普通的钠铝硼硅酸盐玻璃中加入少量卤化银做感光剂,微量铜做增感剂,用玻璃常规工艺熔化,退火再经适当处理,就能制成卤化银光色玻璃。它会因光的强度不同而改变颜色,在强光防护、显示装置、光信息存储、交通工具上的挡风玻璃等方面,都有重要用途。

纯净的二氧化硅晶体叫做石英。石英在1600℃熔化成粘稠液体,内部变为无规则形态,再遇冷时,因为粘度大而不易再结晶,成为石英玻璃。

它有很多特殊的性质,如能让可见光和紫外光通过,可用它制造紫外灯和光学仪器;它的膨胀系数小,能经受温度的剧变,而且有很好的抗酸性(除氢氟酸外),因此,常被用来制造高级化学器皿。 医用激光器配置的光能传输系统是用石英光导纤维制成的,它不仅细巧轻便,灵活自如,且可将激光能量传入人体内脏器官进行医治。

一种新型水泥——双快水泥,具有快凝、快硬的特点。它浇注一天后的强度,相当于普通水泥浇注7-28天的强度,可用于滑升模板施工、预应力混凝土构件、砌块的快速成型和脱模,也可用它做矿井巷道喷射混凝土或机械铸件造型自硬砂。

用废轮胎等制成海绵状弹性体,与粘结性强的乳剂和水泥混和搅拌,就成为橡胶水泥。它克服了原有混凝土的缺点,能防止龟裂、剥离和吸水,既可用于铺路,又可用于建筑物上。

SiC叫碳化硅,又叫金刚砂。它具有类似金刚石的结构,硬度极大,而且分解温度又很高,所以在工业上大量用作磨料。

氮化硅陶瓷的强度和硬度很高,抗热震性和耐化学腐蚀性好,摩擦系数小且有自润性,是一种优越的耐磨材料。用氮化硅陶瓷制成的机械密封圈,经过几百到几千小时的运转后,磨损较小,寿命较原用材料提高几倍到十几倍。

以碳化硅陶。

3.关于晶体硅太阳能电池组件的论文该怎么写

晶体硅太阳能电池选择性扩散及表面钝化研究 中文摘要 5-7 引言 7-10 1 太阳电池简介 10-14 §.1 太阳电池的结构 10 §1.2 太阳电池的工作原理 10-11 §1.3 太阳电池的等效电路 11-12 §1.4 太阳电池的转换效率 12-14 2 晶体硅太阳电池选择性扩散的研究 14-38 §2.1 选择性发射极太阳电池结构 14-19 §2.2 扩散原理 19-28 §2.3 选择性扩散工艺设计 28 §2.4 实验工艺研究 28-32 §2.4.1 硅片的化学清洗及抛光 28-29 §2.4.2 磷浆的配制 29-30 §2.4.3 印刷磷浆 30 §2.4.4 预烘 30 §2.4.5 扩散 30-31 §2.4.6 参数测量 31-32 §2.5 实验结果与分析 32-38 3 表面复合对晶体硅太阳电池性能的影响 38-45 §3.1 理论分析 38-40 §3.1.1 表面复合的成因分析 38 §3.1.2 太阳电池的表面复合对输出电流的影响 38-40 §3.1.3 减小表面复合的方法 40 §3.2 理论计算 40-45 4 结论 45-46 参考文献。

4.谁有关于单晶硅的资料的

名 称: 单晶硅

英文名: Monocrystalline silicon

分子式: Si

硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。

用途: 是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。

单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。在地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。

近年来,各种晶体材料,特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展,成为当代信息技术产业的支柱,并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能,亟待开发利用的高科技资源,正引起越来越多的关注和重视。

5.急

硅是微电子技术的关键材料,所以有人称之为"硅片为代表的电子材料时代

硅在自然界里含量很大,约占地壳总质量的四分之一,在所有元素中居第二位,仅次于氧。晶体硅,其结构与金刚石结构相似,也是原子晶体。因此,晶体硅有较高熔点、沸点和硬度。硅是良好的半导体材料,高纯度硅在电子工业上得到广泛的应用。

半导体元件

硅是比锗更经得起当今器件工艺发展考验的半导体材料。在1966年已经生产40000千克半导体级硅(单晶超纯硅杂质含量小于1/109),从而制造出40亿个元件,由硅晶体管和其他元件可组成集成电路,集成度越来越高,规模越来越大,而元件则愈做愈小。如一个直径为75毫米的硅片,可集成几万至几十万甚至几百万个元件,因而出现了微型计算机、微处理机等。

天然橡胶和合成橡胶的使用温度,——般都在150℃以下,否则就会老化变质。20世纪40年代发展起来的硅橡胶,是以硅一氧一硅为主链的半无机高分子弹性体,兼有无机材料和有机材料的某些特点,使用温度范围广。硅橡胶还具有优异的耐臭氧、生理惰性和电气性能。某些特殊结构的硅橡胶,更具有优良的耐油、耐溶剂、耐辐射等特性,因此,硅橡胶广泛用于航空、字宙航行技术、电气及电子工业部门。

另外,硅是同位素电池中换能器的主要材料;硅是一种便宜而轻巧的太阳能电池材料。还是制航天飞机用的耐热而极轻的硅瓦的材料。

6.求关于多晶硅的科技论文急求多晶硅的科技论文,请大家帮忙 爱问知识

1999年微电子学研究所发表的学术论文 一、器件研究室 锗硅微波功率异质结双极晶体管 张进书,贾宏勇,陈培毅 中国电子学,11,1999 我们开发了一种简单的与硅工艺兼容的平面工艺,并研制成功适合微波功率应用的SiGe异质结双极晶体管(HBT)。

其电流增益为50-320,收集极和发射极击穿电压分别达到28V和5V。在共发射极接法及C类工作条件下,连续波功率输出达5W,收集极转换效率为63%,在此基础上900M赫下工作,功率增益达7。

4dB。 用于通信领域中的MEMS器件 刘泽文,李志坚,刘理天 电子科技导报,7, 1999 微电子机械系统(MEMS)技术在未来的通信领域中有着广泛的应用,本文介绍了若干个用于通信线路中的MEMS器件。

如微电容、微电感、微谐振器、滤波器、微开关等的典型结构形式及其主要性能。 用等离子体干法刻蚀制作用于淀积玻英合金微结构阵列的P-硅微模具 刘泽文,刘理天,谭智敏,王晓慧,李志坚 第二届亚欧等离子体表面工程国际会议,1999。

9,北京 本文给出了一种利用等离子体干法刻蚀在P型硅上制作微模具,然后通过电化学方法填充模具。 从而获得玻莫金属(80%镍、20%铁)微结构的方法。

微结构玻莫合金作为一种软磁性材料在MEMS研究中有广泛的用途。为了获得100mm*100mm横向尺寸的微结构,首先用等离子体方法在已形成掩膜图形的硅片上刻出方型深槽。

利用CF4和SF6相混合作为腐蚀气体。 10分钟即可获得10mm的深槽,该工艺显示出对单晶硅有较高的刻蚀速度。

随后把深槽作为模具进行选择性电沉淀。为了实现电解质和硅电极之间的电荷移动,对方槽的底部进行了硼原子掺杂,并利用一特殊夹具。

这样直流电镀电流便可以从硅片的背面加入到被镀基底上,从而获得高度均匀一致的微结构。 利用该方法已经成功地获得具有高磁导率(1700)的玻莫合金微结构。

高性能双轴微加速度传感器制作研究 刘泽文,刘理天,李志坚 第六届全国敏感元件与传感器学术会议,1999。10,北京 本文给出了将IC工艺与LIGA工艺相结合,在硅基材料上以镍金属为结构材料制作高性能微加速度传感器的研究结果。

由于采用了金属材料,器件在较小的尺寸下可获得较高的灵敏度。采用特殊的结构形成,可使器件处于最佳阻尼状态。

制作过程主要包括厚胶光学光刻,淀积电镀种子层,电化学淀积牺牲层、X射线曝光。 背面对准X射线光刻掩膜制作研究 刘泽文、刘理天、李志坚 10th National annual conference on electron beam, ion beam and photon beam, Nov。

1999, Changsha, Hunan 深X射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要方法。由于大多数LIGA掩模支撑膜的光学不透明性,很难进行需要重复对准的多次曝光。

我们通过使用背面对准X射线光刻掩膜,很好地解决了这一问题。给出了该掩膜制作工艺的研究结果。

整个过程包括沉淀氮化硅、UV光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等。利用Karl Suss双面对准曝光机,可获得2mm的对准精度。

台面结构硅光电集成微马达的设计 齐臣杰,谭智敏,刘理天,李志坚 清华大学学报,39(S1),1999。 4 为了解决凸极法兰盘结构的静电晃动微马达寿命短和测速困难的问题,提出了一种台面结构的光电集成晃动微马达。

用单晶硅台面法兰盘代替悬浮的厚1。1 mm的多晶硅法兰盘,它具有机械强度高、摩擦系数小、抗磨损、不塌陷等优点。

马达的轴也用实心轴取代2 mm空心轴,克服了轴因磨损和受力而变形的问题。 使得马达的寿命大大提高。

另一方面,在马达上还集成了光电测速电路,可以精确测量马达转速。并且还可以形成闭环控制系统,或用作斩光器,成为真正的微机械子系统。

新型马达工艺简单,与IC工艺完全兼容,可批量制作。 光电集成测速硅静电微晃动马达 齐臣杰,候 ?أ趵硖? 第六届全国敏感元件与传感器学术会议,1999。

10,北京 本文采用微马达与光电二极管一起集成,组成光电测速系统。在马达转子下面集成几个光电二极管,利用反偏二极管的暗电流和亮电流的变化来测量马达的转速。

它提高了马达的测速范围,解决了视频摄象测速系统测速低的问题。此外,它还具有测试方便,工艺兼容、准确等优点。

还可以制成斩光器。成为光、机、电的MEMS系统。

铁电-硅微集成系统(FSMIS) 李志坚,任天令,刘理天 半导体学报,20(3),1999 铁电-硅微集成系统FSMIS是铁电材料与硅工艺相结合的产物,在微电子机械系统(MEMS),存储器等多方面具有极为重要的应用价值。 本文介绍了几种重要的硅基铁电膜的几种典型的FSMIS应用方向,并对FSMIS领域的未来发展作出展望。

铁电-硅集成微麦克风和扬声器研究 任天令,刘理天,李志坚 清华大学学报,39(S1), 1999 目的是为实现高灵敏度的集成化的微麦克风和扬声器奠定基础。 利用锆钛酸铅 (PZT) 铁电体具有的优良的力电耦合特性,提出将PZT铁电薄膜与硅工艺相结合,研制悬臂式铁电-硅集成微麦克风和扬声器。

利用双膜片模型对PZT振膜结构进行了优化设计,并对其工艺流水过程进行了初步设计,从而为集成微麦克风和扬声器的最终实现奠定了设计基础。 铁电-硅集成微麦克风和扬。

7.本人要写一篇论文,关于太阳能光伏的,有谁能提供一些资料,将万分

什么是太阳能光伏 太阳能光伏发电系统是利用太阳电池半导体材料的光伏效应,将太阳光辐射能直接转换为电能的一种新型发电系统,有独立运行和并网运行两种方式。

独立运行的光伏发电系统需要有蓄电池作为储能装置,主要用于无电网的边远地区和人口分散地区,整个系统造价很高;在有公共电网的地区,光伏发电系统与电网连接并网运行,省去蓄电池,不仅可以大幅度降低造价,而且具有更高的发电效率和更好的环保性能。 太阳能电池发电历史 自从1954年第一块实用光伏电池问世以来,太阳光伏发电取得了长足的进步。

但比计算机和光纤通讯的发展要慢得多。其原因可能是人们对信息的追求特别强烈,而常规能源还能满足人类对能源的需求。

1973年的石油危机和90年代的环境污染问题大大促进了太阳光伏发电的发展。其发展过程简列如下: 1839年 法国科学家贝克勒尔发现“光生伏特效应”,即“光伏效应”。

1876年 亚当斯等在金属和硒片上发现固态光伏效应。 1883年 制成第一个“硒光电池”,用作敏感器件。

1930年 肖特基提出Cu2O势垒的“光伏效应”理论。同年,朗格首次提 出用“光伏效应”制造“太阳电池”,使太阳能变成电能。

1931年 布鲁诺将铜化合物和硒银电极浸入电解液,在阳光下启动了一个电动机。 1932年 奥杜博特和斯托拉制成第一块“硫化镉”太阳电池。

1941年 奥尔在硅上发现光伏效应。 1954年 恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室,首次制成了实用的单晶太阳电池,效率为6%。

同年,韦克尔首次发现了砷化镓有光伏效应,并在玻璃上沉积硫化镉薄膜,制成了第一块薄膜太阳电池。 1955年 吉尼和罗非斯基进行材料的光电转换效率优化设计。

同年,第一个光电航标灯问世。美国RCA研究砷化镓太阳电池。

1957年 硅太阳电池效率达8%。 1958年 太阳电池首次在空间应用,装备美国先锋1号卫星电源。

1959年 第一个多晶硅太阳电池问世,效率达5%。 1960年 硅太阳电池首次实现并网运行。

1962年 砷化镓太阳电池光电转换效率达13%。 1969年 薄膜硫化镉太阳电池效率达8%。

1972年 罗非斯基研制出紫光电池,效率达16%。 1972年 美国宇航公司背场电池问世。

1973年 砷化镓太阳电池效率达15%。 1974年 COMSAT研究所提出无反射绒面电池,硅太阳电池效率达18%。

1975年 非晶硅太阳电池问世。同年,带硅电池效率达6%~%。

1976年 多晶硅太阳电池效率达10%。 1978年 美国建成100kWp太阳地面光伏电站。

1980年 单晶硅太阳电池效率达20%,砷化镓电池达22.5%,多晶硅电池达14.5%,硫化镉电池达9.15%。 1983年 美国建成1MWp光伏电站;冶金硅(外延)电池效率达11.8%。

1986年 美国建成6.5MWp光伏电站。 1990年 德国提出“2000个光伏屋顶计划”,每个家庭的屋顶装3~5kWp光伏电池。

1995年 高效聚光砷化镓太阳电池效率达32%。 1997年 美国提出“克林顿总统百万太阳能屋顶计划”,在2010年以前为100万户,每户安装3~5kWp。

光伏电池。有太阳时光伏屋顶向电网供电,电表反转;无太阳时电网向家庭供电,电表正转。

家庭只需交“净电费”。 1997年 日本“新阳光计划”提出到2010年生产43亿Wp光伏电池。

1997年 欧洲联盟计划到2010年生产37亿Wp光伏电池。 1998年 单晶硅光伏电池效率达25%。

荷兰政府提出“荷兰百万个太阳光伏屋顶计划”,到2020年完成。 中国光伏发电产业的发展 中国太阳能资源非常丰富,理论储量达每年17000亿吨标准煤。

太阳能资源开发利用的潜力非常广阔。中国光伏发电产业于20世纪70年代起步,90年代中期进入稳步发展时期。

太阳电池及组件产量逐年稳步增加。经过30多年的努力,已迎来了快速发展的新阶段。

在“光明工程”先导项目和“送电到乡”工程等国家项目及世界光伏市场的有力拉动下,中国光伏发电产业迅猛发展。 2007年,中国光伏电池产量首次超过德国和日本,居世界第一位。

2008年的产量继续提高,达到了200万千瓦。近5年来,中国光伏电池产量年增长速度为1-3倍,光伏电池产量占全球产量的比例也由2002年1.07%增长到2008年的近15%。

商业化晶体硅太阳能电池的效率也从3年前的13%-14%提高到16%-17%。 因美国次贷问题而引发的金融危机,从华尔街迅速向全球蔓延,致使部分金融机构轰然倒塌,证券市场持续低迷,石油价格大幅下滑。

中国光伏发电产业近年发展迅速,成为政府重视、股市活跃、风投青睐、各行各业蜂涌相聚的世界太阳谷。由于设备、原料和市场三头在外,它对美国、欧洲和日本等国际市场存在很大依存度。

随着这场金融危机特别是国际油价的大幅下挫,对中国光伏发电业的投资资金、出口订单等方面产生重大影响,但金融危机对光伏产业的巨大影响一定会在未来的某个时间得到消化。长远来看,世界光伏市场的政策推动力依然存在,光伏产业的市场成长依然强劲。

注:更多资料,请参考光电新闻网,里面有太阳能光伏频道专讲的。

关于单晶硅的论文

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